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本發(fā)明屬于微納光子學(xué)領(lǐng)域，特別涉及一種氧化硅填充的gst（gesbte）相變淺溝槽像素級(jí)電控超表面結(jié)構(gòu)及其加工方法。、隨著光電子芯片向高密度、多功能化方向發(fā)展，近紅外動(dòng)態(tài)光學(xué)調(diào)控技術(shù)對(duì)超表面器件的工藝兼容性、調(diào)控精度及可靠性提出了更高要求。、現(xiàn)有技術(shù)中，電控超表面工藝主要包含以下環(huán)節(jié)：、....

、開關(guān)可以閉合或斷開以分別在兩個(gè)端子之間電連接或斷開連接。開關(guān)的一個(gè)實(shí)例是機(jī)電開關(guān)，例如繼電器裝置，其包含一對(duì)電接觸件，每個(gè)電接觸件耦合到相應(yīng)的端子。機(jī)電開關(guān)可包含致動(dòng)器。響應(yīng)于電信號(hào)(例如，電壓信號(hào))，致動(dòng)器可以使兩個(gè)電接觸件物理接觸并閉合開關(guān)，或者可以將兩個(gè)電接觸件彼此分離以斷開開關(guān)。...

本技術(shù)屬于芯片制造的，具體是涉及一種用于深槽刻蝕工藝的散熱結(jié)構(gòu)。、mems(micro-electro-mechanical?systems)是微機(jī)電系統(tǒng)的縮寫，mems制造技術(shù)利用微細(xì)加工技術(shù)，特別是半導(dǎo)體圓片制造技術(shù)，制造出各種微型機(jī)械結(jié)構(gòu)，結(jié)合專用控制集成電路(asic)，組成智能化...

本技術(shù)實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置。、集成電路可在半導(dǎo)體晶圓上制作。半導(dǎo)體晶圓可堆疊或結(jié)合于彼此頂上，以形成所謂的三維集成電路。一些半導(dǎo)體晶圓包括微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electromechanical-system，mems)裝置，其涉及形成具有微米級(jí)(百萬(wàn)分之一米)尺寸的微結(jié)構(gòu)的工藝。通...

本申請(qǐng)涉及電子，尤其涉及一種芯片、芯片的制造方法及電子設(shè)備。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)，也叫做微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)，是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)。微機(jī)電系統(tǒng)是在微電子技術(shù)(半導(dǎo)體制造技術(shù))基...

本發(fā)明涉及微器件制備領(lǐng)域，特別是涉及一種圖形化薄膜結(jié)構(gòu)的制備方法。、在干法刻蝕過(guò)程中，圖形側(cè)壁底部的邊角處會(huì)產(chǎn)生刻蝕聚焦效應(yīng)，隨著刻蝕時(shí)間變長(zhǎng)，邊角處的材料會(huì)被更多地刻蝕掉，形成微溝槽，嚴(yán)重的高深寬比微溝槽的形貌會(huì)導(dǎo)致微溝槽的側(cè)壁形成bow形貌，導(dǎo)致圖形底部缺口異常。在mems器件加工時(shí)，...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，具體涉及一種基于硅硅鍵合的壓力傳感器及其制備方法。、mems壓力傳感器是一種融合微型機(jī)械結(jié)構(gòu)與電子電路的傳感裝置，以單晶硅硅片等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料制作而成的芯片作為主要部分，通過(guò)檢測(cè)物理形變或電荷累積來(lái)測(cè)量壓力進(jìn)而轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì)壓力變化的敏感監(jiān)測(cè)和精確轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用于各...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems器件及其制備方法、電子裝置。、mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))是指一種將機(jī)械構(gòu)件、驅(qū)動(dòng)部件、光學(xué)系統(tǒng)、電控系統(tǒng)集成為一個(gè)整體的微型系統(tǒng)。mems傳感器具有體積小、功耗低、可批量生產(chǎn)等優(yōu)勢(shì)，在智能...

本發(fā)明涉及慣性傳感，具體為一種晶圓級(jí)封裝mems慣性器件的制作方法。、mems慣性傳感器是一種微型化的慣性測(cè)量裝置，采用微電子技術(shù)和微加工技術(shù)制造，分為加速度計(jì)和陀螺儀以及他們的組合，其中加速度計(jì)用來(lái)測(cè)量物體的加速度，陀螺儀用來(lái)測(cè)量物體的角速度，加速度和角速度的綜合測(cè)試就可以用來(lái)描述物體的...

本發(fā)明涉及微器件制備領(lǐng)域，特別是涉及一種圖形化薄膜結(jié)構(gòu)的制備方法。、在mems器件加工時(shí)，對(duì)膜層圖形化后得到的形貌有特殊要求，比如非等高結(jié)構(gòu)的特殊形貌，需要通過(guò)刻蝕速率選擇:的刻蝕方法將光刻膠的圖形:轉(zhuǎn)移到被刻蝕材料上，由于介質(zhì)層大多是絕緣體，導(dǎo)電性較差，在刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生的二次電子不容易被...

本發(fā)明涉及一種微納光子學(xué)技術(shù)，尤其涉及一種提升石英玻璃基底上二維金納米顆粒陣列表面晶格共振品質(zhì)因子的方法。、對(duì)于金屬等離激元納米結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，實(shí)現(xiàn)局域場(chǎng)增強(qiáng)和共振品質(zhì)因子(q值)提升對(duì)其在熒光增強(qiáng)、納米激光、傳感檢測(cè)和非線性光學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用具有極其重要的意義。當(dāng)金屬納米顆粒排列成一維或二維周期...

本發(fā)明涉及慣性器件，尤其涉及一種mems慣性器件結(jié)構(gòu)及制作方法。、mems（micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng)）慣性器件在制作過(guò)程中需要?jiǎng)澩钙骷?，將基底層上的測(cè)試pad露出來(lái)以完成測(cè)試。目前，mems慣性器件的器件層與基底之間的間距通常不足?μm，...

本技術(shù)涉及振鏡封裝，尤其涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)振鏡的封裝結(jié)構(gòu)。、mems(微機(jī)電系統(tǒng)，micro-electro-mechanical?system)振鏡是一種非常新穎的產(chǎn)品，封裝結(jié)構(gòu)也是各有特點(diǎn)。、大部分產(chǎn)品參考半導(dǎo)體器件金屬管殼封裝形式，采用金屬外殼，內(nèi)容微機(jī)電系統(tǒng)振鏡的方案。金屬外殼的組...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路和微機(jī)電系統(tǒng)的工藝制造領(lǐng)域，特別是涉及一種高深寬比結(jié)構(gòu)濕法刻蝕方法及設(shè)備。、在mems制造過(guò)程中，濕法刻蝕是一種常用的工藝，尤其是在深寬比高結(jié)構(gòu)的刻蝕中。然而，刻蝕液在材料表面的沁潤(rùn)性對(duì)刻蝕效果有著重要影響。如果刻蝕液不能很好地在材料表面鋪展并充分接觸，會(huì)導(dǎo)致刻蝕不...

本公開涉及用于圖像傳感器穩(wěn)定目的的微機(jī)電裝置。、眾所周知，由相機(jī)傳感器(例如智能手機(jī)相機(jī))生成的圖像的穩(wěn)定是移動(dòng)模糊補(bǔ)償系統(tǒng)中的一項(xiàng)重要操作，這種模糊補(bǔ)償系統(tǒng)是由于拍攝對(duì)象相對(duì)于相機(jī)的簡(jiǎn)單移動(dòng)、失焦條件以及相機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的物理限制(例如衍射和鏡頭像差)引起的。、光學(xué)圖像穩(wěn)定(optical?...

本發(fā)明涉及一種真空封裝技術(shù)，特別是通過(guò)平面互連和多晶硅-玻璃陽(yáng)極鍵合實(shí)現(xiàn)的真空封裝技術(shù)，屬于微電子機(jī)械系統(tǒng)(mems)領(lǐng)域。、真空封裝技術(shù)可以維持真空腔室，內(nèi)部的真空度以減少空氣阻尼對(duì)諧振器等mems器件品質(zhì)因數(shù)(q值)的影響，是確保諧振式傳感器高精度、高穩(wěn)定性的關(guān)鍵。真空封裝可分為薄膜封...

本發(fā)明涉及一種用于制造帶有微結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體構(gòu)件的方法，在該方法中，提供帶有大量微結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)晶圓。、在半導(dǎo)體構(gòu)件中的開放式mems結(jié)構(gòu)或者說(shuō)微結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)中，對(duì)這些敏感且靈敏的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)是一種挑戰(zhàn)。尤其必須保護(hù)這種微結(jié)構(gòu)免受污染，例如通過(guò)顆粒、液態(tài)化學(xué)物質(zhì)、所需的工藝物質(zhì)所導(dǎo)致的污染，以及免...

本申請(qǐng)涉及精密機(jī)械，特別涉及一種串聯(lián)式大行程壓電微位移平臺(tái)。、高精度微位移定位技術(shù)作為精密工程與精密儀器領(lǐng)域的一項(xiàng)核心技術(shù)，在微電子學(xué)、航空航天工程、生物工程技術(shù)等多個(gè)高科技領(lǐng)域中扮演著不可或缺的角色。隨著微電子學(xué)、通信技術(shù)以及超精密加工工藝的迅猛發(fā)展，對(duì)精密微位移定位技術(shù)的需求也日益嚴(yán)苛...

本申請(qǐng)屬于mems結(jié)構(gòu)，具體涉及一種封裝結(jié)構(gòu)和電子設(shè)備。、現(xiàn)有的mems(micro-electro-mechanical?systems，微機(jī)電系統(tǒng))封裝結(jié)構(gòu)通常是將mems芯片和asic(application-specific?integrated?circuit，專用集成電路)芯片...

本發(fā)明屬于納米材料領(lǐng)域，具體涉及一種二維材料異質(zhì)結(jié)的陣列式制備方法。、近年來(lái)，二維材料異質(zhì)結(jié)已經(jīng)得到了廣泛的研究，其獨(dú)特的層狀結(jié)構(gòu)使得二維材料具有與塊狀材料不同的物理、化學(xué)、光學(xué)、電磁性質(zhì)，在眾多領(lǐng)域中展現(xiàn)出了廣闊的應(yīng)用前景。而且，二維材料由于表面無(wú)懸掛鍵，能夠在不受晶格匹配限制的情況下附...